Our sapphire substrate can be used as the substrate for the growth of III-V compounds such as GaN for LED\'s. 

Crystal materials: *9, **6% of Al2O3, High Purity, Monocrystalline

Crystal quality: Block marks, twins, Color, micro-bubbles and dispersal centers are non-existent 

Diameter: *0.8±0.1mm

Thickness:  **0±*5um, **0±*5um, **0±*5um

Orientation: C-plane, M-plane, A-plane, R-plane, C-plane off M-plane, C-plane off A-plane

Primary flat length: *6.0±0.8mm

patterned spec. will be given to you in the quotation

TTV≤*0um

BOW≤*0um

Warp≤*0um

Front Surface: Epi-polished, Ra< 0.2nm (By AFM)

Back Surface: Fine ground (Ra=0.5 to 1.2 um) or Epi-polished (Ra< 0.2 nm)

Cleaning/packaging: Class **0 clean room cleaning, vacuum packaging derived nitrogen; *5 pieces in one cassette or single packaging.